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市场越来越需要功能更强大但尺寸更小巧的设备（例如，在计算、数据存储、通信、储能和传感技术方面），我们推动半导体制造工具的开发，进而可实现更精确的薄膜控制。如今，晶体管中的关键薄膜层只有几个原子的厚度。ALD，又称原子层外延(ALE)，是一种气相沉积技术，用于生成这些超薄薄膜。
可利用化学反应生成薄膜，一次生成一个原子层。通过管理各个周期阶段，可实现对原子层数量和组成的精确控制。在拓扑或3D 结构上都能均匀覆盖。这些化学反应是热驱动的，最常见的是对基材进行加热，而且可在沉积过程中施加等离子体辅助，从而在气相状态下进一步增强反应效果。
只有在理想的温度范围内才能实现自限性均匀生成。如果超出这个范围，ALD 工艺可能会因为下图所示的某个不利影响受损
反应腔内的大气污染可能会导致薄膜层出现不良生成缺陷，影响表面化学反应，最终削弱性能特性。控制反应腔内的环境对避免这种污染至关重要。
所有室内温度均在室外监控。温度控制一般通过精确控制能量输入来实现。
ALD 工艺的温度控制是预防以下不利影响的关键：
在较大的基材（大晶圆等）上，生成控制对实现薄膜的均匀性更为重要。
ALD 反应釜可加热样品，使其达到预期沉积温度。前驱体和共反应剂的脉冲将注入反应釜。在各个步骤之间，通常利用惰性气体吹扫反应釜。应高效控制反应釜填装和吹扫，以实现合理的周期时间。
各个周期步骤的时间需要准确控制。
一个典型周期包括四个步骤：
EtherCAT 技术协会（ETG，网址为 www.ethercat.org）旨在将 EtherCAT 技术开放给所有用户。SEMI™（前身为国际半导体设备与材料产业协会）已接受 EtherCAT 作为半导体行业的通信标准 (E54.20)。
EtherCAT技术集团ETG（www.EtherCAT.org）的成立是为了让EtherCAT对所有用户开放。SEMI™ （前身为半导体设备与材料国际）已接受EtherCAT作为半导体行业的通信标准（E54.20）。
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